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静电保护器件

ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“静电放电”的意思。ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热(火花)效应(如静电引起的著火与爆炸)和电磁效应(如电磁干扰)等的学科。近年来随著科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越複杂,对静电放电的电磁场效应如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视。

瞬态抑制二极管

瞬态电压抑製器(Transient Voltage Suppressor)简称TVS管,TVS管的电气特性是由P-N结麵积、掺杂浓度及晶片阻质决定的。其耐突波电流的能力与其P-N结麵积成正比。TVS广泛应用于半导体及敏感器件的保护,通常用于二级电源和信号电路的保护,以及防静电等。其特点为反应速度快(为ps级),体积小,脉衝功率较大,箝位电压低等。其10/1000μs波脉衝功率从400W~30KW,脉衝峰值电流从0.52A~544A;击穿电压有从6.8V~550V的繫列值,便于各种不同电压的电路使用。

二极管

肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要全面考虑。

MOSFET

MOS管具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等特点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

MOS管的作用:

MOS管可应用于放大.由于MOS管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器;

MOS管可以用作电子开关;

MOS管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.MOS管可以用作可变电阻.MOS管可以方便地用作恒流源

DC-DC

DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小。随著集成度的提高,许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是,这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高

LDO

低压差稳压器(英语:Low-dropout regulator,LDO),又称低压差线性稳压器、低压降稳压器,是线性直流稳压器的一种,用途同是提供稳定的直流电压电源。相比于一般线性直流稳压器,低压差稳压器能于更小输出输入电压差的情况下工作。

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