ESD（TVS）保护芯片的应用优势 ESD（TVS）器件与齐纳⼆极管比较：

ESD（TVS）器件的 P/N 结⾯积比齐纳二极管更⼤，导致 ESD（TVS）器件不仅具有更强的⾼压耐受性，同时也使电压截⽌率大大下降，对于⼿持设备的低⼯作电压电路的安全保护，具有更好效果。

TVS 与陶瓷电容比较：表⾯贴装陶瓷电容也可作 ESD 保护，便宜和简便；但陶瓷电容的⾼压承受⼒较弱，5kV 高压可使 10%陶瓷电容失效；10kV 高压，可使 60%陶瓷电容失效。

根据 IEC61000-4-2 标准，一般⼿持设备的使⽤，各个端⼝必须承受大于 8kV 接触冲击电压。由于 ESD（TVS）可以承受 15kV 电压，故 ESD（TVS）更适合手持设备，有效保证最终产品的合格率和可靠性。

TVS 与 MLV 比较：多层⾦属氧化物结构器件(MLV)也可以有效抑制瞬时⾼压冲击，但其具有⾮线性电压-电流特性，截⽌电压可达最初中⽌电压的 2～3 倍，导致其适合⽤于对电压不太敏感的线路和器件的保护，如电源供电电路。

ESD（TVS）保护芯片具有较好的电压截⽌因⼦和较低电容，特别适用于⼿持设备的⾼频高速信号端⼝。

ESD（TVS）芯片的微表⾯封装，不仅适合自动装配工艺，更可以集成其它功能（如 EMI 和 RFI 过滤保护）等，可大大降低器件成本，优化硬件系统设计，提高 PCB 板级抗干扰性能和可靠性。

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