苹果 M4 芯片曝光 ,ESD的关键参数

最新资讯表明,苹果的M4芯片正迈向量产阶段,其核心焦点在于显著提升AI性能。

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苹果M4芯片


预计在今年年底至明年年初,首批搭载M4芯片的Mac产品将陆续问世,涵盖新型iMac、基础版14英寸MacBook Pro、高端款14英寸及16英寸MacBook Pro,以及Mac mini。此外,2025年还将有更多Mac新品加入这一行列。

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Mac产品


据悉,M4芯片将推出三个版本:入门级的Donan、加强版的Brava,以及高端版的Hidra。其中,Donan将应用于入门级MacBook Pro、MacBook Air系列以及低配版Mac mini;而Brava则将被高端MacBook Pro和Mac mini所采用,Mac Studio则正在测试Brava的改款。

另外,值得一提的是,4月14日,惠普星Book Plus 16锐龙版笔记本已正式上市,并推出超清疾速版、超清畅玩版以及超清进阶版三款选择。

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惠普星Book Plus 16


这款星Book Plus 16锐龙版笔记本配备了16英寸IPS雾面屏,分辨率高达1920*1200,支持DC无频闪调光及人脸识别功能。其机身设计独特,采用无缝边缘与倒角边框,以金属材质打造,厚度仅为18.6mm,重量轻盈至1.8kg。

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惠普星Book Plus 16


在续航与充电方面,该笔记本同样表现出色,支持长达12.5小时的续航,且仅需30分钟即可快充至50%。


此外,机身还配备了USB-A 10Gbps、HDMI2.1、全功能USB-C 10Gbps、3.5mm音频以及USB-A 5Gbps接口,并支持WiFi6E和蓝牙5.3等无线连接技术。

静电保护器件的主要参数包括以下几个:

反向截止电压(VRWM):这是ESD允许施加的最大工作电压,在此电压下,ESD处于截止状态,漏电流很小,通常为几μA甚至更低。

击穿电压(VBR):也称为动作电压,是ESD开始动作(导通)时的电压,一般在规定的电流下测量,通常在大小为1mA的电流下测量。

反向漏电流(IR):在ESD器件两端施加反向截止电压下测的ESD的漏电流。

脉冲峰值电流(IPP):ESD产品一般采用8/20μs的波形测量此参数。

钳位电压(VC):在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压,超过此电压可能造成ESD永久性损伤。

结电容(Cj):ESD产品的结电容与ESD的芯片面积和工作电压有关。

此外,静电保护器件的响应时间也是一个重要的参数,它指的是ESD静电保护器件对输入的大电压钳制到预定电压的时间。

这些参数对于理解和选择适合的静电保护器件至关重要,它们影响着器件的性能、保护效果以及在电路中的适用性。如需更具体或更专业的信息,欢迎来找我们咨询。

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