台积电3nm芯片与三星3nm芯片有何不同,晶扬电子升级二极管ESD静电保护器件


为什么苹果,高通更看好台积电,台积电芯片与三星芯片到底有何不同。

 

台积电3nm使用FinFET鳍型场效应晶体管。N3制程的TSMC FINFLEX技术,提升3nm芯片的效能、功耗,面积及产品的稳定性。

 

三星3nm芯片使用先进GAA技术,而良品率却在10%到20%之间。目前良品率,功耗、面积,性能无法获得客户认同

 

国内智能设备统一USB接口,USB2.0或是 USB3.0接口保护器件使用广泛。USB接口运行中会遇到电压浪涌和拔插过程中的静电损伤,为避免静电伤害,一般用ESD保护器件,比如深圳晶扬电子推出 TS2524,TS2814二极管ESD静电保护器件,具备低容值超大IPP,高ESD防护能力,高峰值功率等。应用于服务器,电脑,电话等。





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