芯片界近日传来震撼大消息！台积电在2纳米芯片制造工艺上取得了重大突破，良率一举突破90%大关！这一成就堪称半导体领域的里程碑，具有极其深远的意义。

更高的良率意味着什么？对于芯片制造商而言，这无疑是降低成本的一剂强心针。以往，在芯片制造过程中，次品的出现不仅浪费了大量的原材料和时间，还增加了额外的处理成本。而如今，随着良率的提升，芯片制造商无需再为制造次品而买单，成本直接大幅下降，这无疑将提升整个行业的竞争力。

不仅如此，2纳米制程芯片tape - out数量更是惊人，达到了5纳米的四倍！这意味着在未来的芯片市场中，2纳米芯片将占据更大的份额，为各种先进设备提供更强大的性能支持。

目前，3纳米制程已经量产两年，去年就为台积电贡献了18%的晶圆销售额。而下半年，2纳米制程一旦量产，必将成为节能计算领域的“大杀器”，推动相关技术迈向新的高度。

在股东会上，台积电董事长魏哲家更是放出豪言，2025年营收要实现“中段二位数百分比增长”。他还指出，随着AI技术的迅猛发展，复杂模型对半导体硬件的要求越来越高。而台积电凭借独家技术，在5G、AI浪潮中稳如泰山，必将继续引领半导体行业的发展潮流，创造更多的辉煌。

在电子设备日益普及的当下，静电放电（ESD）对电子元件的潜在威胁不容小觑。深圳ESD芯片厂家晶扬电子推出的静电保护器件TT0501SZ，为可穿戴设备、消费电子中NFC、RF antenna的ESD防护提供了卓越解决方案。

这款器件采用CSP0402封装，堪称业界最小封装。小巧的体积使其能够轻松集成到各类紧凑的电子设备中，不占用过多空间，为产品的设计提供了更大的灵活性。同时，它具备超低容值和超低钳位电压的特性，能有效减少对信号传输的干扰，确保NFC、RF antenna等敏感电路的稳定运行，保障设备在数据传输和无线通信方面的性能。

从关键参数来看，VRWM：5V、VBR：7V@10μA、Cj：0.18pF、IPP：4.5A、VC：5V，这些精准的数据充分展示了其优异的电气性能。在静电放电ESD试验中，接触放电达到IEC Contact 10kV，空气放电达到IEC Air 10kV，强大的防护能力可抵御外界强烈的静电冲击，为设备内部电路提供可靠的保护屏障，大大降低因静电放电导致设备损坏的风险，延长设备的使用寿命。

无论是时尚的可穿戴设备，还是日常使用的消费电子产品，TT0501SZ都能凭借其出色的性能和紧凑的设计，成为ESD防护方案中的关键元件，为电子设备的稳定运行保驾护航。

深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年，是国家重点专精特新“小巨人”科技企业、国家高新技术企业、深圳知名品牌、广东省制造业单项冠军产品、深圳市制造业单项冠军企业，知识产权示范企业，建成广东省ESD静电保护芯片工程技术研究中心，荣获中国发明创业奖金奖等。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的集成电路设计公司，在成都、武汉和加拿大设立有研发中心，拥有超百项知识产权和专利，业内著名的“电路与系统保护专家”。

晶扬电子不仅是深圳静电防护器件的领先者，更是深圳ESD芯片厂家的佼佼者，专注于研发高效、可靠的ESD保护器件，为各类电子产品提供全方位、全覆盖的静电保护、高边开关等保护方案。

主营产品：ESD、TVS、MOS管、DC-DC,LDO系列、工业&车规传感器、高边开关（HSD)芯片、电流传感器、汽车开关输入芯片等。涉及的应用领域有：电脑/笔记本、机顶盒、电视、网络通信、手机、平板、智能穿戴、安防监控、家电、工控、新能源汽车、车载、TWS、电动工具等。

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