近日,美国政府正式宣布撤销台积电位于南京工厂的关键设备运输豁免权,且该政策将于四个月后正式生效。这一举措意味着,台积电的供应商若想将美国管制的半导体设备运输至南京厂,必须逐案向美方申请批准,以往便捷的“一揽子授权”方式将不再适用。

实际上,遭受此类政策冲击的不止台积电,三星等在华工厂此前也已被取消了同类豁免。尽管美方宣称会为工厂运营颁发必要的许可证,但现实情况是,当前许可证申请积压严重,未来能否顺利获得许可充满不确定性,这无疑给相关工厂的运营蒙上了一层阴影。

台积电南京厂于2018年投产,主要聚焦于16nm和28nm成熟制程芯片的生产。在2024年,该厂仅占台积电总收入的一小部分,总产能占比约3%。对于此次豁免权被撤销,中国台湾经济部门表示,这会影响到工厂运营的可预测性,不过并不会削弱台湾地区芯片产业的竞争力。目前,台积电方面正在紧急评估这一情况,并积极与美方展开沟通,全力以赴保障南京厂的正常运营。在全球半导体产业竞争日益激烈的背景下,美国的这一政策调整无疑将对相关企业的布局和发展产生深远影响。
而在宏观环境的不确定性之外,半导体产业内部的技术挑战同样不容忽视。随着芯片制程不断进步和集成度的日益提高,确保芯片在复杂工作环境下的稳定运行,已成为产业发展的关键一环,其重要性愈发凸显。其中,静电防护(ESD)就是保障芯片稳定运行的基础性技术,对于任何精密电子设备都至关重要。
深圳ESD芯片厂家晶扬电子,拥有深厚的技术积累与创新能力,推荐一款性能卓越的单路双向静电保护器件——TT0241SA-Fx。这款器件专为先进工艺产品、低工作电压芯片的防护量身打造,尤其适用于USB 3.X和USB4等高速接口,能满足笔记本电脑、手机、平板等各类应用场景的需求。它具备超低反向击穿电压VBR、超低容值Cj以及低钳位电压Vc的显著特点,综合ESD特性表现更佳,可有效避免静电对芯片造成损伤,确保设备稳定可靠运行。
TT0241SA-Fx采用DFN0603封装,小巧精致,便于集成。其参数表现十分出色:反向工作电压VRWM为2伏,反向击穿电压VBR为3.2伏,钳位电压VC在4.5安电流下仅为4.5伏,反向漏电流IR低至0.05微安,结电容Cj仅0.22皮法。此外,它还满足IEC 61000-4-2测试标准,能承受10千伏接触放电和15千伏空气放电的ESD耐受冲击,为芯片提供了坚实的静电防护屏障。选择晶扬电子的TT0241SA-Fx,就是为先进工艺芯片选择了一份可靠的静电防护保障。

深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年,是国家专精特新重点“小巨人”科技企业、国家高新技术企业、深圳知名品牌、广东省制造业单项冠军产品、深圳市制造业单项冠军企业,知识产权示范企业,建成广东省ESD静电保护芯片工程技术研究中心,荣获中国发明创业奖金奖等。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的集成电路设计公司,在成都、武汉和加拿大设立有研发中心,拥有超百项知识产权和专利,业内著名的“电路与系统保护专家”。
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